Als Schutzvorrichtung können TVS-Röhren elektrostatische Durchschläge wirksam verhindern und Schaltkreise schützen. Bei der Auswahl von TVS-Röhren muss auf deren relevante Parameter geachtet werden, da es sonst zu unerwarteten Problemen kommen kann. VRWM, VBR, Vc, Ipp, Cd sind wichtige Parameter für die Auswahl von ESD/TVS-Geräten
Erläuterung:
VBR: Der Punkt, an dem die Zusammenbruchspannung @ IT - TVS sofort niederohmig wird
VRWM: Spannung aufrechterhalten – TVS befindet sich zu diesem Zeitpunkt in einem nichtleitenden Zustand
VC: Klemmspannung bei Ipp – Die Klemmspannung beträgt ungefähr 1,3 * VBR
VF: Vorwärtsleitungsspannung @ IF – Vorwärtsspannungsabfall
ID: Rückwärtsleckstrom bei VRWM
IT: Prüfstrom für Zusammenbruchspannung
IPP: Burst-Spitzenstrom
IF: Vorwärtsleitungsstrom
Wenn der Impulsspitzenstrom IPP mit einer Dauer von 20 ms durch TVS fließt, wird die Impulsspannung durch das ESD-Schutzgerät begrenzt und die maximale Spitzenspannung, die an beiden Enden auftritt, beträgt VC. VC und IPP spiegeln die Überspannungsunterdrückungsfähigkeit von TVS wider. (Hinweis: VC ist die von der Diode im ausgeschalteten Zustand bereitgestellte Spannung, d. h. die Spannung durch TVS während des ESD-Impulszustands. Sie darf nicht größer sein als die zulässige Grenzspannung des geschützten Stromkreises, andernfalls besteht die Gefahr einer Beschädigung des Geräts.).
Maximaler Sperrableitstrom bei VRWM
VRWM gibt an, dass unter der angegebenen ID der Spannungswert an beiden Enden des TVS-Geräts zur maximalen Sperrbetriebsspannung wird. Normalerweise ist VRWM = (0,8 ~ 0,9) VBR. Bei dieser Spannung ist der Stromverbrauch des Geräts sehr gering. (Hinweis: Bei der Auswahl des Typs sollte Vrwm nicht niedriger sein als die normale Arbeitsspannung des geschützten Geräts oder Stromkreises. Im Allgemeinen beträgt VopONUGeräte haben normalerweise 12 V, und die TVS-Röhre wird im Allgemeinen ausgewählt, um VC zwischen 14 V und 16 V zu steuern.
Die Spannung, bei der der TVS-Transistor den angegebenen Prüfstrom It durchläuft. Dabei handelt es sich um die markierte Spannung, die die Leitung des TVS-Transistors angibt, d. h. ab diesem Zeitpunkt tritt im Gerät ein Lawinendurchbruch ein. VBR ist die minimale Durchbruchspannung für TVS, und bei 25 °C kommt es bei TVS unterhalb dieser Spannung nicht zu Lawinen. Wenn durch TVS ein spezifizierter 1-mA-Strom (IR) fließt, entspricht die an den beiden Polen des TVS angelegte Spannung seiner minimalen Durchbruchspannung VBR. Um den internationalen Standard IEC61000-4-2 zu erfüllen, müssen TVS-Dioden ESD-Stößen von mindestens 8 kV (Kontakt) und 15 kV (Luft) standhalten. Einige Halbleiterhersteller haben bei ihren Produkten höhere Standards für die Schlagfestigkeit festgelegt. Für bestimmte Anwendungen tragbarer Geräte mit besonderen Anforderungen können Designer Geräte entsprechend ihren Anforderungen auswählen.
Das Obige ist ein kurzer Überblick über die wichtigen Parameter der TVS-Auswahl, der als Referenz verwendet werden kann. Unser Unternehmen verfügt über ein starkes technisches Team und kann seinen Kunden professionelle technische Dienstleistungen anbieten. Derzeit verfügt unser Unternehmen über diversifizierte Produkte: intelligentonu, optisches Kommunikationsmodul, optisches Fasermodul, optisches SFP-Modul,oltGeräte, Ethernetschaltenund andere Netzwerkgeräte. Bei Bedarf können Sie sie im Detail verstehen.