ડાયોડ PN જંકશનથી બનેલો છે, અને ફોટોડિયોડ ઓપ્ટિકલ સિગ્નલને વિદ્યુત સિગ્નલમાં રૂપાંતરિત કરી શકે છે, નીચે બતાવ્યા પ્રમાણે:
સામાન્ય રીતે, જ્યારે PN જંકશન પ્રકાશથી પ્રકાશિત થાય છે ત્યારે સહસંયોજક બોન્ડ આયનીકરણ થાય છે. આ છિદ્રો અને ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન-હોલ ટીમોના ઉત્પાદનને કારણે ફોટોકરન્ટ જનરેટ થાય છે. જ્યારે 1.1 eV કરતાં વધુ ઊર્જા સાથેના ફોટોન ડાયોડને અથડાવે છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવામાં આવશે. જ્યારે ફોટોન ડાયોડના ક્ષીણ થઈ ગયેલા પ્રદેશમાં પ્રવેશે છે, ત્યારે તે ઉચ્ચ ઊર્જા સાથે અણુને અથડાવે છે. આના પરિણામે અણુની રચનામાંથી ઇલેક્ટ્રોન છૂટે છે. ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત થયા પછી, મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને છિદ્રો ઉત્પન્ન થાય છે. સામાન્ય રીતે, ઇલેક્ટ્રોન નકારાત્મક રીતે ચાર્જ થાય છે, અને છિદ્રો હકારાત્મક રીતે ચાર્જ થાય છે. ક્ષીણ થતી ઊર્જામાં બિલ્ટ-ઇન ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ હશે. આ વિદ્યુત ક્ષેત્રને કારણે, ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી PN જંકશનથી દૂર છે. તેથી, છિદ્રો એનોડ તરફ જાય છે, અને ઇલેક્ટ્રોન ફોટોકરન્ટ બનાવવા માટે કેથોડ તરફ જાય છે.
.
ફોટોોડિયોડની સામગ્રી તેની ઘણી લાક્ષણિકતાઓ નક્કી કરે છે. આવશ્યક લાક્ષણિકતા એ પ્રકાશની તરંગ છે જેને ફોટોોડિયોડ પ્રતિસાદ આપે છે, અને બીજું અવાજનું સ્તર છે, જે બંને મુખ્યત્વે ફોટોોડિયોડમાં વપરાતી સામગ્રી પર આધારિત છે. વિવિધ સામગ્રીઓ તરંગલંબાઇ માટે વિવિધ પ્રતિભાવોનો ઉપયોગ કરે છે કારણ કે માત્ર પૂરતી ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન જ સામગ્રીના બેન્ડ ગેપમાં ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્તેજિત કરી શકે છે અને ફોટોોડિયોડમાંથી વર્તમાન પેદા કરવા માટે નોંધપાત્ર શક્તિ ઉત્પન્ન કરી શકે છે.
.
સામગ્રીની તરંગલંબાઇ સંવેદનશીલતા નોંધપાત્ર હોવા છતાં, અન્ય એક પરિમાણ જે ફોટોડાયોડ્સના પ્રભાવને નોંધપાત્ર રીતે અસર કરી શકે છે તે અવાજનું સ્તર છે. તેમના વધુ નોંધપાત્ર બેન્ડ ગેપને કારણે, સિલિકોન ફોટોોડિયોડ્સ જર્મેનિયમ ફોટોડાયોડ્સ કરતાં ઓછો અવાજ ઉત્પન્ન કરે છે. જો કે, ફોટોોડિયોડની તરંગલંબાઇને ધ્યાનમાં લેવી પણ જરૂરી છે, અને જર્મેનિયમ ફોટોડિયોડનો ઉપયોગ 1000 એનએમ કરતાં વધુ લાંબી તરંગલંબાઇ માટે થવો જોઈએ.
.
ઉપરોક્ત શેનઝેન HDV ફોઈલેક્ટ્રોન ટેક્નોલોજી કંપની લિમિટેડ દ્વારા લાવવામાં આવેલ ડાયોડનું જ્ઞાન સમજૂતી છે, જે ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન ઉત્પાદક છે અને કોમ્યુનિકેશન પ્રોડક્ટ્સનું ઉત્પાદન કરે છે. તમારું સ્વાગત છેપૂછપરછ.