Dyòd la konpoze de yon junction PN, ak fotodyòd la ka konvèti siyal optik la nan yon siyal elektrik, jan yo montre anba a:
Anjeneral, lyen kovalan an iyonize lè junction PN a eklere ak limyè. Sa a kreye twou ak pè elèktron. Se fotokouran an pwodwi akòz jenerasyon ekip elèktron-twou. Lè foton ak enèji ki depase 1.1 eV frape Dyòd la, pè elèktron-twou yo pral fòme. Lè yon foton antre nan rejyon an apovri nan dyod la, li frape atòm nan ak gwo enèji. Sa a rezilta nan liberasyon elektwon nan estrikti atomik la. Apre elektwon yo lage, elektwon gratis ak twou yo pwodwi. An jeneral, elektwon yo chaje negatif, ak twou yo chaje pozitivman. Enèji apovri a pral gen yon jaden elektrik entegre. Akòz jaden elektrik sa a, pè elèktron-twou a byen lwen junction PN a. Se poutèt sa, twou yo deplase nan direksyon anod la, ak elektwon yo deplase nan direksyon katod la jenere yon fotokouran.
.
Materyèl fotodyòd la detèmine anpil nan karakteristik li yo. Karakteristik esansyèl la se vag limyè ki fotodyòd la reponn a, ak lòt la se nivo bri a, tou de nan yo ki depann sitou sou materyèl yo itilize nan fotodyòd la. Diferan materyèl sèvi ak repons diferan nan longèdonn paske sèlman foton ki gen ase enèji ka eksite elektwon nan espas bann materyèl la epi jenere gwo pouvwa pou jenere kouran nan fotodyod la.
.
Malgre ke sansiblite longèdonn materyèl yo enpòtan, yon lòt paramèt ki ka gen yon enpak siyifikativ sou pèfòmans fotodiod yo se nivo bri ki pwodui. Akòz espas ki pi enpòtan yo, fotodiod Silisyòm pwodui mwens bri pase fotodiod germanium. Sepandan, li nesesè tou pou konsidere longèdonn fotodyòd la, epi yo dwe itilize fotodyode germanium la pou longèdonn ki pi long pase 1000 nm.
.
Pi wo a se eksplikasyon an konesans nan Dyòd te pote pa Shenzhen HDV Phoelectron Teknoloji co, Ltd, ki se yon manifakti kominikasyon optik ak pwodui pwodwi kominikasyon. Byenveni ouankèt.