●SFPマルチソース契約(MSA)SFF-8074Iに準拠しています
●ITUT-T G.984.2、G.984.2修正1に準拠しています
●ITUT G.988 ONU管理および制御インターフェイス(OMCI)仕様に準拠しています
●SFF 8472 v9.5に準拠しています
●FCC 47 CFRパート15、クラスBに準拠しています
●FDA 21 CFR 1040.10および1040.11に準拠しています
HTR6001Xシリーズトランシーバーは、シングルファイバーの高性能モジュールです
1310nmバーストモードトランスミッターと1490nmの連続モードを使用した通信
受信機。 GPON ONUクラスB+アプリケーション用の光ネットワーク端末(ONT)で使用されています
中にMacがあります。
トランスミッターはシングルモードファイバー用に設計されており、公称波長で動作します
1310nmの。送信機モジュールは、完全なIEC825とCDRHクラス1を備えたDFBレーザーダイオードを使用します
目の安全。
レシーバーセクションでは、ハーメチックパッケージを使用したAPD-TIA(トランスインピーダンスアンプを備えたAPD)を使用し、
制限アンプ。 APDは光学電力を電流に変換し、電流は
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トランスインピーダンスアンプによって電圧に変換されます。微分データと /データCMLデータ
信号は、制限アンプによって生成されます。
強化されたデジタル診断監視インターフェイスが
トランシーバー。トランシーバーなどのトランシーバー動作パラメーターにリアルタイムでアクセスできるようになります
温度、レーザーバイアス電流、バーストモード送信光学電力、光学電力を受け、
I2Cインターフェイスを備えた内蔵メモリを読み取ることにより、トランシーバー供給電圧。
●ギガビット対応パッシブ光ネットワーク(GPON)
●HTR6001Xは、ONUの光学だけでなく、すべてを組み込んだMSA準拠のSFPです。
電子機器も必要です。それは「棒の上のポン」であり、ftth全体がわずかに
特大のSFP。ネットワーキング機器に差し込むことができます。 aのデータインターフェイスを許可します
さまざまなファイバー環境と距離に合わせてカスタマイズされるスイッチ、ルーター、PBXなど
要件
●HTR6001Xは、デュアルモードONUスティックとして設計されており、EPON ONU OAMもサポートしています。それ
EPONシステムとGPONシステムの両方に適用できます。
EPON OLTまたはGPONのGPONリンクとのEPONリンク。
パラメーター | シンボル | 最小 | マキシム | ユニット | 注記 |
保管周囲温度 | TSTG | -40 | 85 | °C | |
動作ケース温度 | Tc | 0 | 70 | °C | c-temp |
-40 | 85 | °C | i -temp | ||
湿度の動作 | OH | 5 | 95 | % | |
電源電圧 | VCC | 0 | 3.63 | V | |
受信者の損傷しきい値 | +4 | DBM | |||
はんだ温度 | 260/10 | °C/s |
パラメーター | シンボル | 最小 | 典型的な | マキシム | ユニット | 注記 |
電源電圧 | VCC | 3.13 | 3.3 | 3.47 | V | 3.3V±5% |
電力散逸 | PD | 2.00 | 2.48 | W | ||
動作ケース温度 | Tc | 0 | 70 | °C | c-temp | |
-40 | 85 | °C | i -temp | |||
湿度範囲の動作 | OH | 5 | 85 | % | ||
上流のデータレート | 1.244 | gbit/s | ||||
データレート下流 | 2.488 | gbit/s | ||||
データレートドリフト | -100 | +100 | ppm |
パラメーター | Symbo | ミニュー | 典型的な | マキシム | ユニット | 注記 |
光学中心波長 | λC | 1290 | 1330 | nm | ||
サイドモード抑制率 | SMSR | 30 | dB | |||
光スペクトル幅 | ∆λ | 1 | nm | |||
平均的な起動光学電力 | Po | +0.5 | +5 | DBM | 1 | |
パワーオフトランスミッター光学 | ポフ | -45 | DBM | |||
絶滅比 | ER | 9 | dB | 2 | ||
上昇/上下時間(20%-80%) | TR/TF | 260 | ps | 2,3 | ||
バーストモードで時間をオンにします | トン | 12.8 | ns | |||
バーストモードで時間をオフにします | トフ | 12.8 | ns | |||
rin15オマ | -115 | DB/Hz | ||||
光学リターンロス耐性 | 15 | dB | ||||
トランスミッター反射率 | -6 | dB | ||||
送信機と分散ペナルティ | TDP | 2 | dB | 4 | ||
光波形図 | ITU-T G.984.2に準拠しています | 5 | ||||
データ入力微分スイング | 300 | 1600 | mV | 6 | ||
入力微分インピーダンス | 90 | 100 | 110 | Ω | ||
TX- disable電圧(enable) | 0 | 0.8 | V | |||
TX- disable電圧(無効) | 2.0 | VCC | V | |||
Tx-fault出力(通常) | 0 | 0.8 | V | |||
Tx-fault出力(障害) | 2.0 | VCC | V |
注1:9/125umシングルモードファイバーに起動。
注2:PRBS 2で測定23-1テストパターン @1.244gbit/s。注3:Bessel-Thompsonフィルターをオフにして測定します。
注4:20kmのSMF光ファイバを介したトランスミッターと分散効果による最大感度ペナルティ。注5:トランスミッターアイマスク定義(図1)。
注6:LVPECL入力と互換性があり、DCは内部的に結合されています。
形 1 送信機 目 マスク Definiti
形 1 送信機 目 マスク 定義
パラメーター | シンボル | ミニュー | 典型的な | マキシム | ユニット | メモ |
動作波長 | 1480 | 1490 | 1500 | nm | ||
感度 | セン | -28 | DBM | |||
飽和光学電力 | 土 | -8 | DBM | 1 | ||
LOS DEASSERTレベル | -29 | DBM | ||||
LOSアサートレベル | -40 | DBM | 2 | |||
ロスヒステリシス | 0.5 | 5 | dB | |||
レシーバー反射率 | -20 | dB | ||||
38 | dB | 1550nm | ||||
WDMフィルター分離 | 35 | dB | 1650nm | |||
データ出力の差動スイング | 300 | 1200 | mV | 3 | ||
LOS低電圧 | 0 | 0.8 | V | |||
LOS高電圧 | 2 | VCC | V |
注1:PRBS 2で測定23-1テストパターン @2.488Gbit/sおよびER = 9dB、BER = 10-12.
注2:指定されたレベルを超える光電力の減少により、LOS出力は低状態から高状態に切り替えます。
指定されたレベル以下の光電力の増加により、LOS出力は高い状態から低状態に切り替えます。
注3:内部的に結合したAC CML出力は、入力光電力の全範囲(-8dBM〜 -28dBM)で保証されています。
形 2 Eeprom 情報
形 3 パッケージ 概要 (ユニット: mm)
ピン | 名前 | 説明 | メモ |
1 | veet | トランスミッターグラウンド | 1 |
2 | tx-fault | トランスミッター障害表示、通常の「0」、障害::ロジック「1」出力、lvttl | 2 |
3 | TX-ディスブル | 送信機は無効になります。送信機レーザーをオフにします | 3 |
4 | mod-def(2) | SDA I2Cデータライン | 2 |
5 | mod-def(1) | SCL I2Cクロックライン | 2 |
6 | mod-def(0) | veerに接続されているモジュールがありません | 2 |
7 | レート選択 | 死にゆく息を切らしてください | |
8 | ロス | 信号の喪失 | 2 |
9 | veer | レシーバーグラウンド | 1 |
10 | veer | レシーバーグラウンド | 1 |
ピン | 名前 | 説明 | メモ |
11 | veer | レシーバーグラウンド | 1 |
12 | rd- | inv。データ出力を受信しました | |
13 | RD+ | データ出力を受信しました | |
14 | veer | レシーバーグラウンド | 1 |
15 | VCCR | 受信電力 | 1 |
16 | VCCT | トランスミッター電源 | |
17 | veet | トランスミッターグラウンド | 1 |
18 | TD+ | データを送信します | |
19 | TD- | inv.Transmitデータのトランスミット | |
20 | veet | トランスミッターグラウンド | 1 |
注:
1.モジュール回路地面は、モジュール内のモジュールシャーシグランドから分離されています。
2。ピンは、ホストボードの3.13Vから3.47Vの間の電圧に4.7k-10kΩで引き上げられなければなりません。
3.モジュールに4.7k-10Ω抵抗でピンがVCCTに引き上げられます。
形 4 ピン止めします 描画 (トップ ビュー)
形 5 推奨 ボード レイアウト 穴 パターン そして パネル 取り付け
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