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    XPON ONU HTZ2027X 1GE+スイッチ

    簡単な説明:

    * HTZ2027XシリーズシングルユーザーONUは、HDVによってDeferent FTTHソリューションのONU用に設計されています。キャリアクラスFTTHアプリケーションは、日付サービスアクセスを提供します。

    * HTZ2027Xシリーズは、高性能および低消費チップを採用し、CTC V2.0の相互接続とインターワーキング基準の中国テレコムをサポートします。 NGBN View NMSの助けを借りて、加入者に豊富なサービスを提供し、キャリアクラスのFTTHデバイスのニーズを完全に満たすことができます。

    * HTZ2027Xシリーズは、ZTEチップセットによって設計されています

     

     

     

     


    製品の詳細

    標準

    一般的な説明

    アプリケーション

    絶対最大評価

    推奨される動作条件

    トランスミッターの光学的および電気的特性

    受信機の光学的および電気的特性

    EEPROM情報

    機械的寸法

    ピンの説明

    描画をピン留めします

    推奨ボードレイアウト

    製品タグ

    ASDZXCXZ1 ASDZXCXZ2 ASDZXCXZ3 ASDZXCXZ4 ASDZXCXZ5 ASDZXCXZ6 ASDZXCXZ7


    ●SFPマルチソース契約(MSA)SFF-8074Iに準拠しています
    ●ITUT-T G.984.2、G.984.2修正1に準拠しています
    ●ITUT G.988 ONU管理および制御インターフェイス(OMCI)仕様に準拠しています
    ●SFF 8472 v9.5に準拠しています
    ●FCC 47 CFRパート15、クラスBに準拠しています
    ●FDA 21 CFR 1040.10および1040.11に準拠しています

     

     

     

     

    HTR6001Xシリーズトランシーバーは、シングルファイバーの高性能モジュールです
    1310nmバーストモードトランスミッターと1490nmの連続モードを使用した通信
    受信機。 GPON ONUクラスB+アプリケーション用の光ネットワーク端末(ONT)で使用されています
    中にMacがあります。
    トランスミッターはシングルモードファイバー用に設計されており、公称波長で動作します
    1310nmの。送信機モジュールは、完全なIEC825とCDRHクラス1を備えたDFBレーザーダイオードを使用します
    目の安全。
    レシーバーセクションでは、ハーメチックパッケージを使用したAPD-TIA(トランスインピーダンスアンプを備えたAPD)を使用し、
    制限アンプ。 APDは光学電力を電流に変換し、電流は
    v1.0ページ2/10
    トランスインピーダンスアンプによって電圧に変換されます。微分データと /データCMLデータ
    信号は、制限アンプによって生成されます。
    強化されたデジタル診断監視インターフェイスが
    トランシーバー。トランシーバーなどのトランシーバー動作パラメーターにリアルタイムでアクセスできるようになります
    温度、レーザーバイアス電流、バーストモード送信光学電力、光学電力を受け、
    I2Cインターフェイスを備えた内蔵メモリを読み取ることにより、トランシーバー供給電圧。

     

     

     

     

    ギガビット対応パッシブ光ネットワーク(GPON)
    ●HTR6001Xは、ONUの光学だけでなく、すべてを組み込んだMSA準拠のSFPです。
    電子機器も必要です。それは「棒の上のポン」であり、ftth全体がわずかに
    特大のSFP。ネットワーキング機器に差し込むことができます。 aのデータインターフェイスを許可します
    さまざまなファイバー環境と距離に合わせてカスタマイズされるスイッチ、ルーター、PBXなど
    要件
    ●HTR6001Xは、デュアルモードONUスティックとして設計されており、EPON ONU OAMもサポートしています。それ
    EPONシステムとGPONシステムの両方に適用できます。
    EPON OLTまたはGPONのGPONリンクとのEPONリンク。

     

     

     

     

    パラメーター シンボル 最小 マキシム ユニット 注記
    保管周囲温度 TSTG -40 85 °C  
    動作ケース温度 Tc 0 70 °C c-temp
        -40 85 °C i -temp
    湿度の動作 OH 5 95 %  
    電源電圧 VCC 0 3.63 V  
    受信者の損傷しきい値   +4   DBM  
    はんだ温度     260/10 °C/s  

     

     

     

     

     

    パラメーター シンボル 最小 典型的な マキシム

    ユニット

    注記
    電源電圧 VCC 3.13 3.3 3.47 V

    3.3V±5%

    電力散逸 PD   2.00 2.48 W  
    動作ケース温度 Tc 0   70 °C

    c-temp

        -40   85 °C

    i -temp

    湿度範囲の動作 OH 5   85 %  
    上流のデータレート     1.244  

    gbit/s

     
    データレート下流     2.488  

    gbit/s

     
    データレートドリフト   -100   +100

    ppm

     

     

     

     

     

     

    パラメーター

    Symbo

    ミニュー 典型的な マキシム ユニット 注記
    光学中心波長 λC 1290   1330 nm  
    サイドモード抑制率

    SMSR

    30     dB  
    光スペクトル幅 ∆λ     1 nm  
    平均的な起動光学電力 Po +0.5   +5 DBM  1
    パワーオフトランスミッター光学 ポフ     -45 DBM
    絶滅比 ER 9     dB 2
    上昇/上下時間(20%-80%) TR/TF     260 ps 2,3
    バーストモードで時間をオンにします トン     12.8 ns  
    バーストモードで時間をオフにします トフ     12.8 ns
    rin15オマ       -115 DB/Hz  
    光学リターンロス耐性       15 dB  
    トランスミッター反射率       -6 dB  
    送信機と分散ペナルティ TDP     2 dB 4
    光波形図 ITU-T G.984.2に準拠しています 5
    データ入力微分スイング   300   1600 mV 6
    入力微分インピーダンス   90 100 110 Ω  
    TX- disable電圧(enable)   0   0.8 V  
    TX- disable電圧(無効) 2.0   VCC V    
    Tx-fault出力(通常) 0   0.8 V    
    Tx-fault出力(障害) 2.0   VCC V    

    注1:9/125umシングルモードファイバーに起動。

    注2:PRBS 2で測定23-1テストパターン @1.244gbit/s。注3:Bessel-Thompsonフィルターをオフにして測定します。

    注4:20kmのSMF光ファイバを介したトランスミッターと分散効果による最大感度ペナルティ。注5:トランスミッターアイマスク定義(図1)。

    注6:LVPECL入力と互換性があり、DCは内部的に結合されています。

     1 送信機  マスク Definiti

    図1トランスミッターアイマスク定義

     1 送信機  マスク 定義

     

     

     

     

    パラメーター シンボル ミニュー 典型的な マキシム ユニット メモ
    動作波長   1480 1490 1500 nm  
    感度 セン     -28 DBM  
    飽和光学電力 -8     DBM 1
    LOS DEASSERTレベル       -29 DBM  
    LOSアサートレベル   -40     DBM 2
    ロスヒステリシス   0.5   5 dB  
    レシーバー反射率       -20 dB  
        38     dB 1550nm
    WDMフィルター分離   35     dB 1650nm
    データ出力の差動スイング   300   1200 mV 3
    LOS低電圧   0   0.8 V  
    LOS高電圧   2   VCC V

    注1:PRBS 2で測定23-1テストパターン @2.488Gbit/sおよびER = 9dB、BER = 10-12.

    注2:指定されたレベルを超える光電力の減少により、LOS出力は低状態から高状態に切り替えます。

    指定されたレベル以下の光電力の増加により、LOS出力は高い状態から低状態に切り替えます。

    注3:内部的に結合したAC CML出力は、入力光電力の全範囲(-8dBM〜 -28dBM)で保証されています。

     

     

     

     

    EEPROM情報

     2 Eeprom 情報

     

     

     

     

    EEPROM情報

     3 パッケージ 概要 (ユニット: mm)

     

     

     

     

    ピン 名前 説明 メモ
    1 veet トランスミッターグラウンド 1
    2  tx-fault トランスミッター障害表示、通常の「0」、障害::ロジック「1」出力、lvttl 2
    3 TX-ディスブル 送信機は無効になります。送信機レーザーをオフにします 3
    4 mod-def(2) SDA I2Cデータライン 2
    5 mod-def(1) SCL I2Cクロックライン 2
    6 mod-def(0) veerに接続されているモジュールがありません 2
    7 レート選択 死にゆく息を切らしてください
    8 ロス 信号の喪失 2
    9 veer レシーバーグラウンド 1
    10 veer レシーバーグラウンド 1

     

    ピン 名前 説明 メモ
    11 veer レシーバーグラウンド 1
    12 rd- inv。データ出力を受信しました
    13 RD+ データ出力を受信しました
    14 veer レシーバーグラウンド 1
    15 VCCR 受信電力 1
    16 VCCT トランスミッター電源
    17 veet トランスミッターグラウンド 1
    18 TD+ データを送信します
    19 TD- inv.Transmitデータのトランスミット
    20 veet トランスミッターグラウンド 1

    注:

    1.モジュール回路地面は、モジュール内のモジュールシャーシグランドから分離されています。

    2。ピンは、ホストボードの3.13Vから3.47Vの間の電圧に4.7k-10kΩで引き上げられなければなりません。

    3.モジュールに4.7k-10Ω抵抗でピンがVCCTに引き上げられます。

     

     

     

     

    描画をピン留めします

     4 ピン止めします 描画 (トップ ビュー)

     

     

     

     

    推奨ボードレイアウト

    推奨ボードレイアウト2

     5 推奨 ボード レイアウト  パターン そして パネル 取り付け

     

     

     

     

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