Parâmetros importantes para seleção de TVS

Explicação:
VBR: O ponto onde a tensão de colapso @ IT - TVS torna-se instantaneamente de baixa impedância
VRWM: Manter tensão - TVS está em estado não condutor neste estágio
VC: Tensão de fixação @ Ipp - A tensão de fixação é de aproximadamente 1,3 * VBR
VF: Tensão de condução direta @ IF - Queda de tensão direta
ID: Corrente de fuga reversa @ VRWM
IT: Corrente de teste para tensão de colapso
IPP: Corrente de pico de explosão
SE: Corrente de condução direta
Quando a corrente de pico de pulso IPP com duração de 20mS flui através do TVS, a tensão de pulso é fixada pelo dispositivo de proteção ESD, e a tensão de pico máxima que ocorre em ambas as extremidades é VC. VC e IPP refletem a capacidade de supressão de surtos do TVS. (Nota: VC é a tensão fornecida pelo diodo no estado de corte, ou seja, a tensão através do TVS durante o estado de impulso ESD. Não pode ser superior à tensão limite permitida do circuito protegido, caso contrário o dispositivo corre o risco de danos.).
Corrente máxima de fuga reversa @ VRWM
VRWM indica que sob o ID especificado, o valor da tensão em ambas as extremidades do dispositivo TVS se torna a tensão máxima de operação reversa. Normalmente VRWM = (0,8 ~ 0,9) VBR. Nesta tensão, o consumo de energia do dispositivo é muito pequeno. (Nota: Ao selecionar o tipo, Vrwm não deve ser inferior à tensão normal de trabalho do dispositivo ou circuito protegido. Geralmente, VopONUo equipamento geralmente é de 12V, e o tubo TVS geralmente é selecionado para controlar VC entre 14V e 16V.
A tensão na qual o transistor TVS passa pela corrente de teste especificada It, que é a tensão marcada que indica a condução do transistor TVS, ou seja, a partir deste ponto, o dispositivo entra em colapso em avalanche. VBR é a tensão de ruptura mínima para TVS e, a 25 ℃, o TVS não sofrerá avalanches abaixo desta tensão. Quando o TVS flui através de uma corrente especificada de 1mA (IR), a tensão aplicada aos dois pólos do TVS é a sua tensão de ruptura mínima VBR. Para atender ao padrão internacional IEC61000-4-2, os diodos TVS devem ser capazes de suportar impactos ESD de no mínimo 8kV (contato) e 15kV (ar). Alguns fabricantes de semicondutores usaram padrões mais elevados de resistência ao impacto em seus produtos. Para determinadas aplicações de dispositivos portáteis com requisitos especiais, os projetistas podem selecionar dispositivos de acordo com suas necessidades.
O texto acima é uma breve visão geral dos parâmetros importantes da seleção de TVS, que podem ser usados ​​como referência. Nossa empresa possui uma equipe técnica forte e pode fornecer serviços técnicos profissionais aos clientes. Actualmente, a nossa empresa possui produtos diversificados: inteligentesonu, módulo óptico de comunicação, módulo de fibra óptica, módulo óptico SFP,velhoequipamento, Ethernettrocare outros equipamentos de rede. Se precisar, você pode entendê-los em profundidade.