Само сквозное отверстие имеет паразитную емкость относительно земли. Если известно, что диаметр изолирующего отверстия на нижнем слое сквозного отверстия равен D2, диаметр площадки сквозного отверстия равен D1, толщина печатной платы равна T, а диэлектрическая проницаемость подложки платы равна ε, Паразитная емкость переходного отверстия примерно равна C=1,41 ε TD1/(D2-D1)
Основное влияние паразитной емкости на схему, вызванное переходными отверстиями, заключается в том, что она увеличивает время сигнала и снижает скорость схемы. Например, для печатной платы толщиной 50 мил, если используются переходные отверстия с внутренним диаметром 10 мил и диаметром площадки 20 мил, а расстояние между контактной площадкой и медной областью на земле составляет 32 мил. , мы можем приблизительно рассчитать паразитную емкость переходных отверстий, используя приведенную выше формулу, следующим образом: C = 1,41 x 4,4 x 0,050 x 0,020/(0,032-0,020) = 0,517 пФ. Изменение времени нарастания, вызванное этой емкостью, составляет: T10-90. =2,2C(Z0/2)=2,2x0,517x(55/2)=31,28пс. Из этих значений видно, что хотя паразитная емкость одного переходного отверстия может не оказывать существенного влияния на замедление нарастания напряжения, следует проявлять осторожность, если переходные отверстия используются в схеме несколько раз для межслойного переключения.
Помимо паразитной емкости в переходном отверстии существует еще и паразитная индуктивность. Паразитная последовательная индуктивность ослабляет вклад байпасной емкости и снижает эффективность фильтрации всей энергосистемы. Следующую формулу можно использовать для простого расчета приблизительной паразитной индуктивности переходного отверстия:
L=5,08h [ln (4h/d)+1], где L относится к индуктивности сквозного отверстия, h — длина сквозного отверстия, а d — диаметр центрального отверстия. Из уравнения видно, что диаметр переходного отверстия оказывает небольшое влияние на индуктивность, тогда как длина переходного отверстия оказывает наибольшее влияние на индуктивность. Используя приведенный выше пример, индуктивность переходного отверстия можно рассчитать как L=5,08x0,050 [ln (4x0,050/0,010)+1]=1,015 нГн. Если время нарастания сигнала составляет 1 нс, то его эквивалентная величина полного сопротивления равна: XL=π L/T10-90=3,19 Ом.
В итоге:
Выбор более тонкой печатной платы выгоден для уменьшения паразитных параметров.
Старайтесь не менять слои и не использовать ненужные переходные отверстия для маршрутизации сигналов.
Просверлите отверстия возле источника питания и заземления, причем чем короче и толще проводка отверстий и контактов, тем лучше.
Разместите больше отверстий заземления рядом со слоем коммутации сигнала, чтобы обеспечить ближайшую цепь для сигнала.
При изготовлении серии волоконно-оптических изделий, таких как оптический модуль,ОНУ, оптоволоконный модуль,ОЛТмодуль и т. д., вы должны учитывать влияние переходных отверстий на боза, передающую глазковую диаграмму, коэффициент затухания и т. д. или влияние на чувствительность приема.
Выше представлен краткий обзор «Основные параметры BOSA – размер (II)», который можно использовать в качестве справочного материала. Наша компания имеет довольно сильную техническую команду и может предоставлять клиентам профессиональные технические услуги. В настоящее время наша компания имеет диверсифицированную продукцию: интеллектуальныеону, оптический модуль связи, оптоволоконный модуль, оптический модуль sfp,старыйоборудование, Ethernetвыключательи другое сетевое оборудование. Если вам нужно, вы можете узнать о них больше.
